使用赛利美尔半导体器件:
1、陶瓷气体放电管GDT:
GDT1型号:SA2E8-600MN/SA2E8-600ML/SA2E8-600MSMD;
GDT2型号:SA2E8-90MN/SA2E8-90ML/SA2E8-90MSMD;
2、压敏电阻:
MOV型号:MLVSK14D820K;74V~90V;突破电流耐量(8/20μs):4500A;最大抑制电压(@5A):135V。
请参阅产品手册
一、方案说明及注意事项:
1.此方案后级采用反应时间很快,残压较低的MOV
2.前级采用通流量大,断续流能力强,残压低的贴片GDT1
3.中间用6μH~10μH电感L1,L2做退藕,驱动GDT1泄放大电流
4.此电源方案满足IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌测试标准
二、方案应用:
基站-48V电源